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三星宣布推出首款写入速度450微秒内存模块
盛嘉菲商城 / 2019-08-07


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快速存储解决方案对于高效的数码照片和视频工作流程至关重要,三星科技宣布开始生产超过100层的新型V-NAND模块,这是业界首创,应该可以推动任何编辑工作站。据这家韩国公司称,256GB 3V-NAND将用于制造用于PCSSD驱动器,并已经交付给众多全球OEM厂商。

 

新一代产品比之前的9层单层结构增加了大约40%的单元。三星通过构建136层导电模具堆栈实现了这一目标。该公司声称这导致业界最快的数据传输速率,引用写入速度为450微秒(),读取响应时间为45。与之前的设计相比,性能提高了10%,功耗降低了15%。

 

    该公司声称这导致业界最快的数据传输速率,引用写入速度为450微秒(),读取响应时间为45

 

三星表示,由于新的更快的设计,它将能够通过组合三个新堆栈提供超过300层的V-NAND解决方案,而不会对性能或可靠性产生任何负面影响。

 

除了性能提升之外,工程师还能够减少生产步骤并减少芯片尺寸,将生产率提高20%。

 

随着250GB SATA PC SSD的发布,该公司计划在下半年增加产量以满足不断增长的全球需求,并使用各种规格的512Gb 3V-NAND生产SSDeUFS。三星也希望在未来为移动和汽车应用部署新芯片。

 

 


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